sobota, 04 lutego 2023 r.  Imieniny: Andrzeja, Mariusza, Weroniki
Wiadomości z tagiem DRAM  RSS
Nothing nabija się z Samsunga. Chodzi o nowe koreańskie flagowce

Dodano: 02.02.2023 9:10 | 16 odsłon | 0 komentarzy


Nothing nabija się z Samsunga. Chodzi o nowe koreańskie flagowce

Szef firmy Nothing wyśmiewa najnowszą serię flagowych smartfonów Samsunga. Opublikowany mem sugeruje, że Galaxy S23 Ultra jest nieodróżnialny od Galaxy S22 Ultra, w czym jest trochę racji.

1 lutego 2023 roku Samsung zaprezentował smartfony z serii Galaxy S23. Przynoszą one sporo ulepszeń, jednak wiele elementów łączy je z poprzednikami, czyli serią Galaxy S22. Fakt ten stał się "pożywką" dla Carla Lei, współzałożyciela marki One Plus, a obecnie szefowi firmy Nothing. Opublikował on na Twitterze ankietę, w której wprost pyta, czy Galaxy S23 jest ekscytujący czy nudny. W tym momencie wśród odpowiedzi przeważa ta druga opcja.

W drwinach szefa Nothing dostało się w szczególności topowemu .

Samsung Galaxy S23 Ultra mem

W powyższym jest trochę racji, ponieważ wizualnie oba urządzenia są do siebie bardzo podobne. Różnice to przede wszystkim nieco większy zestaw fotograficzny z tyłu oraz lekko spłaszczone boki w nowszym smartfonie.

Samsung Galaxy S23 Ultra vs Samsung Galaxy S22 Ultra
Samsung Galaxy S23 Ultra vs Samsung Galaxy S22 Ultra

To prawda, Samsung Galaxy S23 Ultra wygląda na pierwszy rzut oka identycznie jak jego poprzednik. Nowości kryją się jednak w jego wnętrzu. Są to między innymi wydajniejszy SoC, czyli podkręcony Snapdragon 8 Gen 2, szybsza pamięć (LPDDR5X i UFS 4.0) czy główny aparat fotograficzny o rozdzielczości 200 Mpix. Nowsze jest też oczywiście oprogramowania. Najnowsza seria smartfonów Samsunga pracuje pod kontrolą Androida 13 z interfejsem One UI 5.1. Ten ostatni wkrótce trafi również na pokłady starszych modeli.

 
 
 
 

Źródło: https:

Samsung Galaxy S23 odsłania karty. Podstawowy model z dużą wadą

Dodano: 30.01.2023 11:21 | 23 odsłon | 0 komentarzy


Samsung Galaxy S23 odsłania karty. Podstawowy model z pewną wadą

Samsung Galaxy S23 w podstawowej wersji będzie smartfonem gorszym niż wariant Plus lub Ultra. Jednak dziwić może zastosowanie starszego i wolniejszego dysku na dane.

Już za chwilę, już za moment odbędzie się premiera smartfonów z serii Samsung Galaxy S23. Według plotek możemy tradycyjnie spodziewać się trzech modeli — zwykłego, Plus oraz Ultra. Ten pierwszy, co logiczne, będzie gorszy od pozostałych. Jednak może dziwić, że Koreańczycy zamierzają zastosować w nim dużo wolniejszy nośnik danych.

Samsung Galaxy S23 z dyskiem UFS 3.1

Z najnowszych plotek wynika, że podstawowy Samsung Galaxy S23 będzie wyposażony w dysk o pojemności 128 lub 256 GB. Szkoda, że ma to być nośnik w standardzie UFS 3.1 (w przypadku wersji 128 GB), który jest dużo wolniejszy od UFS 4.0, z którego będą korzystać pozostałe, wyższe modele, w tym wariant 256 GB. 

Różnice są naprawdę duże. Nośniki UFS 4.0 są w stanie odczytywać dane z prędkością 4,200 MB/s oraz zapisywać z szybkością 2,800 MB/s. Z kolei UFS 3.1 to zaledwie 850 MB/s przy zapisywaniu plików. Poza tym nowszy standard zużywać o 46 proc. mniej energii, co może nie jest wielką różnicą w przypadku dysku, ale w kontekście smartfonów jest jednak znaczącą wartością.

Dobrze, że podstawowy model będzie korzystał z szybkich pamięci LPDDR5X RAM. Te same moduły znajdziemy w modelach Plus oraz Ultra.

 
 

Źródło: https:

GeForce RTX 4090 Ti: zdjęcia systemu chłodzenia zajmującego 4 sloty

Dodano: 27.01.2023 22:52 | 69 odsłon | 0 komentarzy


Obecnie najbardziej wydajną kartą graficzną Nvidia z najnowszej serii Ada Lovelace jest GeForce RTX 4090. Karta dysponuje 24 GB pamięci GDDR6X 21 Gbps z 384-bitową magistralą (przepustowość 1 TB/s), oraz największym układem z serii Ada, czyli AD102 (litografia 4nm) w wersji z aktywnymi 16384 rdzeniami CUDA (spośród 18,432 wszystkich) oraz 128 jedno...

Źródło: twojepc.pl

GeForce RTX 4090 Ti: zdj�cia systemu ch�odzenia zajmuj�cego 4 sloty

Dodano: 27.01.2023 22:52 | 89 odsłon | 0 komentarzy


Obecnie najbardziej wydajn� kart� graficzn� Nvidia z najnowszej serii Ada Lovelace jest GeForce RTX 4090. Karta dysponuje 24 GB pami�ci GDDR6X 21 Gbps z 384-bitow� magistral� (przepustowo�� 1 TB/s), oraz najwi�kszym uk�adem z serii Ada, czyli AD102 (litografia 4nm) w wersji z aktywnymi 16384 rdzeniami CUDA (spo�r�d 18,432 wszystkich) oraz 128 jedno...

Źródło: twojepc.pl

SK hynix prezentuje pamięci LPDDR5T, najszybsze obecnie mobilne pamięci DRAM oznaczone dopiskiem Turbo

Dodano: 26.01.2023 9:00 | 2 odsłon | 0 komentarzy


SK hynix, południowokoreański producent półprzewodników znany głównie z produkcji pamięci typu DRAM oraz FLASH zaprezentował pamięci typu LPDDR5T, które jak twierdzi producent, są obecnie najszybszymi pamięciami dla szeroko pojętych urządzeń mobilnych. Zaprezentowana pamięć operuję z prędkością 9,6 gigabita na sekundę (Gbps), co jest wynikiem o 13% wyższym aniżeli produkt poprzedniej generacji SK hyniksa (LPDDR5X).

Źródło: https:

Xiaomi Poco X5 odkrywa swe tajemnice w benchmarku

Dodano: 24.01.2023 11:51 | 43 odsłon | 0 komentarzy


Xiaomi Poco X5

Xiaomi przygotowuje się do debiutu nowych smartfonów Poco X5 i Poco X5 Pro, które maja być odpowiednikami serii Redmi Note 12 na globalnych rynkach. Ten pierwszy model został dostrzeżony w benchmarku Geekbench.

Od paru tygodni w sieci pojawiają się doniesienia na temat smartfonów Xiaomi Poco X5 i Poco X5 Pro. Nowości maja być globalnymi odpowiednikami modeli Redmi Note 12 oraz Redmi Note 12 Speed Edition, które zadebiutowały wcześniej tylko w Chinach.

 

Poco X5 został właśnie dostrzeżony w benchmarku Geekbench. Wyjaśniło się, że jeżeli będzie to przebrandowany Redmi Note 12, to w nieco zmodyfikowanej wersji. Chodzi konkretnie o zastosowany chipset. 

W chińskim redmi znalazł się nowszy układ Snapdragon 4 Gen 1 (6 nm, CPU do 2 GHz, GPU Adreno 619), ale należący do najsłabszej serii Qualcomma. Z kolei Poco X5 z oznaczeniem kodowym 22111317PG w teście ujawnił, że napędzany jest przez starszego Snapdragona 695 (6 nm, CPU do 2,2 GHz, GPU Adreno 619), jednak z wyższej, drugiej od dołu serii układów producenta. Z punktu widzenia użytkownika zmiana nie będzie zbyt duża, a nawet może odrobinę korzystniejsza.

Z takim układem w benchmarku Geekbench 5 smartfon w wersji z 8 GB RAM osiągnął 693 punktów na jednym rdzeniu i 2113 na wielu rdzeniach. Podobne wyniki osiąga Redmi Note 12, choć nie są znane rezultaty testy wariantu z 8 GB RAM. 

Xiaomi Poco X5  geekbench

Jeżeli potwierdzą się dotychczasowe informacje, to Poco X5 otrzyma ekran AMOLED o przekątnej 6,67 cala i rozdzielczości Full HD+ z odświeżaniem do 120 Hz. Pracę układu SoC wspomoże pamięć RAM LPDDR4X o wielkości 4, 6 lub 8 GB oraz wewnętrzna UFS 2.2 o wielkości 128 lub 256 GB. 

Główny aparat otrzyma matrycę 48 Mpix. Akumulator 5000 mAh naładujemy z mocą 33 W. Z testu Geekbench wynika, że tak jak w Redmi Note 12, wszystkim steruje Android 12 z MIUI 13.

 
 

Źródło: https:

Kioxia i Western Digital znów chcą połączyć się w jedną firmę

Dodano: 23.01.2023 23:50 | 112 odsłon | 0 komentarzy


Jak informuje Bloomberg, firmy Kioxia (dawniej Toshiba Memory) i Western Digital badają możliwość połączenia się w jeden podmiot, aby wspólnie rozwijać i produkować pamięci DRAM i NAND Flash. Kioxia powstała przed dwoma laty wskutek wydzielenia działalności związanej z produkcją pamięci DRAM i Flash przez Toshibę - najpierw dział ten wydzielono do ...

Źródło: twojepc.pl

Kioxia i Western Digital zn�w chc� po��czy� si� w jedn� firm�

Dodano: 23.01.2023 23:50 | 137 odsłon | 0 komentarzy


Jak informuje Bloomberg, firmy Kioxia (dawniej Toshiba Memory) i Western Digital badaj� mo�liwo�� po��czenia si� w jeden podmiot, aby wsp�lnie rozwija� i produkowa� pami�ci DRAM i NAND Flash. Kioxia powsta�a przed dwoma laty wskutek wydzielenia dzia�alno�ci zwi�zanej z produkcj� pami�ci DRAM i Flash przez Toshib� - najpierw dzia� ten wydzielono do ...

Źródło: twojepc.pl

OnePlus Nord CE 3 już bez tajemnic. Premiera za rogiem

Dodano: 18.01.2023 16:13 | 28 odsłon | 0 komentarzy


OnePlus Nord CE 2

Po kilku tygodniach spekulacji w końcu zbliżamy się do premiery OnePlus Nord CE 3, czyli kolejnej generacji średniaka OnePlusa. Najnowsze dane uzyskane dzięki aplikacji Device Info HW potwierdzają specyfikację telefonu.

O smartfonie mówi się już co najmniej od listopada zeszłego roku, gdy pojawiły się pierwsze doniesienia na temat tego modelu. Ujawniona wtedy specyfikacja teraz zyskała swoje potwierdzenie dzięki aplikacji Device Info HW.

Wynika z niej, że OnePlus Nord CE 3 ma ekran IPS o przekątnej 6,67 cala, rozdzielczości Full HD+ (2400 X 1080) w proporcjach 20:9. Wyświetlacz zapewnia odświeżanie 120 Hz i zgodny jest ze standardami HDR10  i HLG.

Sercem „cetrójki” jest układ Qualcomm Snapdragon 695 (6 nm, do 2,2 GHz), a więc ta sama jednostka, która wcześniej znalazła się w modelu OnePlus Nord CE 2 Lite 5G. Pracę SoC będzie wspierać 8 GB pamięci RAM w standardzie LPDDR4x, a na dane użytkownika przewidziano prawdopodobnie do 256 GB – ta akurat informacja nie została ujawniona. Wcześniej mówiło się także o RAM-e 12 GB.

Użytkownik OnePlusa Nord CE 3 będzie mógł skorzystać z łączności 5G, Dual  SIM, dwuzakresowego Wi-Fi 5, Bluetooth 5.2 i USB 2.0 typu C.

Apka Device Info HW zdradziła też konfigurację aparatu. Wiemy już na pewno, że główny moduł wykorzystuje matrycę 108 Mpix z przysłoną f/1,7, a dwa pozostałe to sensory 2 Mpix – jeden do zdjęć makro, a drugi do głębi. Fotki selfie będzie można robić za pomocą aparatu 16 Mpix.

Wszystkim zarządzać ma OxygenOS bazujący na Androidzie 13. Z wcześniejszych przecieków wynika też, że OnePlus Nord CE 3 wyposażony jest w akumulator 5000 mAh z szybkim ładowaniem 67 W.

OnePlus Nord CE 3 w porównaniu do modeli poprzedniej generacji CE 2 i CE 2 Lite przynosi większy ekran i podwojoną rozdzielczość aparatu, do tego najnowszego Androida, jednak zachowuje też część cech bez zmian, co może nie zachęcić użytkowników do kupna.

Z licznych doniesień wynika, że OnePlus Nord CE 3 powinien pojawić się w ciągu najbliższych dni lub najwyżej tygodni.

 
 

Źródło: https:

JEDEC pracuje nad standardem CAMM, który zastąpi SO-DIMM

Dodano: 17.01.2023 17:26 | 207 odsłon | 0 komentarzy


Organizacja JEDEC (Joint Electronic Devices Engineering Council) zajmująca się standaryzacją pamięci poinformowała o przyjęciu wstępnych założeń nowego formatu dla pamięci DRAM dla komputerów przenośnych. Będzie to format CAMM, który ma pozwolić na budowę cieńszych laptopów i docelowo zastąpi SO-DIMM. Standard został zaproponowany jakiś czas temy ...

Źródło: twojepc.pl


Starsze wiadomości »
reklama

Copyright © 2008-2023 itblog24.com  - wszelkie prawa zastrzeżone